SI3459BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.72 грн |
| 10+ | 54.90 грн |
| 100+ | 36.13 грн |
| 500+ | 26.34 грн |
| 1000+ | 23.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3459BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI3459BDV-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3459BDV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TSOP P CHAN 60V |
на замовлення 123376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3459BDV-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP P CHAN 60V
MOSFETs TSOP P CHAN 60V
на замовлення 123376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)