SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3459bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-E3 за ціною від 19.04 грн до 114.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.31 грн
432+32.98 грн
451+31.60 грн
479+28.68 грн
484+26.28 грн
506+24.12 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay / Siliconix si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 51948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+56.06 грн
10+39.02 грн
25+33.64 грн
100+25.23 грн
250+25.01 грн
500+21.57 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.47 грн
10+54.15 грн
100+35.63 грн
500+25.98 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.63 грн
11+72.09 грн
100+47.55 грн
500+36.90 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 Siliconix si3459bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 TSI3459bdv
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+33.31 грн
432+32.98 грн
451+31.60 грн
479+28.68 грн
484+26.28 грн
506+24.12 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 51948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.06 грн
10+39.02 грн
25+33.64 грн
100+25.23 грн
250+25.01 грн
500+21.57 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.47 грн
10+54.15 грн
100+35.63 грн
500+25.98 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.63 грн
11+72.09 грн
100+47.55 грн
500+36.90 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 TSI3459bdv
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.