Продукція > VISHAY > SI3459BDV-T1-E3
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3 Vishay

si3459bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-E3 за ціною від 17.43 грн до 92.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.37 грн
100+21.37 грн
250+19.59 грн
500+17.51 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
461+26.50 грн
465+26.24 грн
512+23.87 грн
517+22.79 грн
555+19.64 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 54962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.09 грн
10+53.98 грн
100+32.30 грн
500+26.48 грн
1000+23.39 грн
3000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.31 грн
10+55.87 грн
100+36.76 грн
500+26.80 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.