Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3459BDV-T1-E3
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3459bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-E3 за ціною від 21.72 грн до 90.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.35 грн
100+26.62 грн
250+24.40 грн
500+21.81 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.65 грн
465+30.35 грн
512+27.60 грн
517+26.35 грн
555+22.71 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.72 грн
10+54.90 грн
100+36.13 грн
500+26.34 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Vishay / Siliconix si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 51948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.35 грн
100+26.62 грн
250+24.40 грн
500+21.81 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
461+30.65 грн
465+30.35 грн
512+27.60 грн
517+26.35 грн
555+22.71 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.72 грн
10+54.90 грн
100+36.13 грн
500+26.34 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 51948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.