Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3459BDV-T1-E3
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3459bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-E3 за ціною від 19.38 грн до 90.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
461+28.03 грн
465+27.76 грн
512+25.25 грн
517+24.10 грн
555+20.77 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.74 грн
100+26.08 грн
250+23.91 грн
500+21.37 грн
1000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 51948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.44 грн
10+37.20 грн
25+32.07 грн
100+24.05 грн
250+23.85 грн
500+20.57 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.99 грн
10+55.06 грн
100+36.23 грн
500+26.42 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.