Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3459bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.77 грн
9000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm.

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-GE3 за ціною від 18.87 грн до 90.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.33 грн
28+27.41 грн
100+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.02 грн
6000+28.29 грн
9000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.87 грн
13+35.05 грн
50+30.05 грн
100+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 17894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.19 грн
10+54.24 грн
50+40.26 грн
100+33.53 грн
500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 38394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 Siliconix si3459bd.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-E3 TSI3459bdv
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.33 грн
28+27.41 грн
100+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.02 грн
6000+28.29 грн
9000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.87 грн
13+35.05 грн
50+30.05 грн
100+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 17894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.19 грн
10+54.24 грн
50+40.26 грн
100+33.53 грн
500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 38394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-E3 TSI3459bdv
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.