Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI3459BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2441601-3
Price: 62490.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	20.83 грн
6000+	19.77 грн
9000+	18.95 грн
15000+	17.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-GE3 за ціною від 20.95 грн до 44.58 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.02 грн
6000+	23.79 грн
9000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.15 грн
26+	29.85 грн
100+	27.18 грн
250+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

на замовлення 18695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.58 грн
10+	36.00 грн
100+	27.86 грн
500+	21.97 грн
1000+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 50759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0017723677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 2270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	24.02 грн
6000+	23.79 грн
9000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
25+	30.15 грн
26+	29.85 грн
100+	27.18 грн
250+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

на замовлення 18695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	44.58 грн
10+	36.00 грн
100+	27.86 грн
500+	21.97 грн
1000+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 50759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3459BDV-T1-GE3

на замовлення 2270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.