на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3459BDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI3459BDV-T1-GE3 за ціною від 14.5 грн до 53.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 3.3W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 288mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 121119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
на замовлення 30587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 3.3W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 288mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|