Продукція > VISHAY > SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3 Vishay

si3459bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3459BDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3459BDV-T1-GE3 за ціною від 15.94 грн до 74.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.20 грн
6000+20.12 грн
9000+19.29 грн
15000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245828.pdf Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.69 грн
21+29.86 грн
25+29.65 грн
100+23.55 грн
250+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 18695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.36 грн
10+36.63 грн
100+28.35 грн
500+22.36 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245828.pdf Description: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.18 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.42 грн
50+41.18 грн
100+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3459bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.90 грн
10+47.36 грн
50+37.17 грн
55+16.86 грн
150+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3459bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 51430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.75 грн
10+50.09 грн
100+29.06 грн
500+24.65 грн
1000+22.44 грн
3000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3459bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.28 грн
10+59.02 грн
50+44.60 грн
55+20.23 грн
150+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3459bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.