на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.27 грн |
| 10+ | 59.25 грн |
| 100+ | 35.67 грн |
| 500+ | 29.80 грн |
| 1000+ | 25.39 грн |
| 3000+ | 22.16 грн |
| 6000+ | 21.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3460BDV-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3460BDV-T1-E3 за ціною від 25.39 грн до 95.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3460BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI3460BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI3460BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |