Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3460bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3460BDV-T1-E3 за ціною від 19.84 грн до 62.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3460bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.63 грн
10+ 48.35 грн
100+ 33.48 грн
500+ 26.25 грн
1000+ 22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3460bd.pdf MOSFET 20V 8.0A 3.5W
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.85 грн
10+ 53.76 грн
100+ 32.36 грн
500+ 27.04 грн
1000+ 23.04 грн
3000+ 20.11 грн
6000+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3460BDV-T1-E3 si3460bd.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3460bd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній