Продукція > VISHAY > SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

si3460ddv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.12 грн
9000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.

Інші пропозиції SI3460DDV-T1-GE3 за ціною від 6.05 грн до 28.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.78 грн
9000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460dd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.03 грн
35+ 10.92 грн
100+ 8.07 грн
275+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.64 грн
25+ 13.61 грн
100+ 9.68 грн
275+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.1 грн
500+ 10.92 грн
1500+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
540+21.7 грн
750+ 15.62 грн
757+ 15.46 грн
935+ 12.07 грн
1541+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 540
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.04 грн
28+ 20.92 грн
29+ 20.15 грн
100+ 13.98 грн
250+ 12.82 грн
500+ 9.97 грн
1000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.72 грн
13+ 21.84 грн
100+ 15.17 грн
500+ 11.12 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.46 грн
50+ 23.82 грн
100+ 19.1 грн
500+ 10.92 грн
1500+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3460ddv.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
13+ 23.8 грн
100+ 15.56 грн
500+ 12.42 грн
1000+ 9.61 грн
3000+ 8.41 грн
9000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній