Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3460DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3460DDV-T1-GE3 за ціною від 6.57 грн до 45.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A Case: SC74; TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.7W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 7.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 28mΩ |
на замовлення 5100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 8361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.55 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.87 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.86 грн |
| 45000+ | 9.76 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.13 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1240+ | 11.38 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 14.86 грн |
| 66+ | 11.48 грн |
| 67+ | 11.38 грн |
| 100+ | 8.04 грн |
| 250+ | 7.25 грн |
| 500+ | 6.77 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 45.96 грн |
| 15+ | 28.53 грн |
| 25+ | 21.51 грн |
| 50+ | 17.15 грн |
| 100+ | 13.81 грн |
| 500+ | 9.46 грн |
| 1000+ | 8.37 грн |
| 3000+ | 8.28 грн |
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 8361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3460DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)