на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3460DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3460DDV-T1-GE3 за ціною від 6.07 грн до 44.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 6261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V |
на замовлення 5385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3460DDV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |