Продукція > VISHAY > SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

si3460ddv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3460DDV-T1-GE3 за ціною від 5.26 грн до 40.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460dd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.50 грн
45000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
889+13.71 грн
1378+8.84 грн
1408+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 889
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.99 грн
500+12.91 грн
1500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+19.86 грн
47+12.85 грн
48+12.73 грн
100+7.91 грн
250+7.17 грн
500+5.49 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.14 грн
20+19.41 грн
50+15.16 грн
100+13.61 грн
107+8.58 грн
293+8.12 грн
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3460ddv.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 6261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.56 грн
16+21.34 грн
100+12.47 грн
250+12.40 грн
500+10.99 грн
1000+10.02 грн
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.94 грн
14+23.04 грн
100+15.49 грн
500+12.64 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.72 грн
50+25.23 грн
100+16.99 грн
500+12.91 грн
1500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.97 грн
12+24.19 грн
50+18.19 грн
100+16.33 грн
107+10.30 грн
293+9.74 грн
3000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.