SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3460ddv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3460DDV-T1-GE3 за ціною від 7.89 грн до 36.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3460ddv.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 6261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.81 грн
16+20.26 грн
100+11.84 грн
250+11.77 грн
500+10.43 грн
1000+9.52 грн
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.47 грн
14+22.75 грн
100+15.29 грн
500+12.49 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 6261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.81 грн
16+20.26 грн
100+11.84 грн
250+11.77 грн
500+10.43 грн
1000+9.52 грн
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.47 грн
14+22.75 грн
100+15.29 грн
500+12.49 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.