SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix


si3464dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI3464DV-T1-BE3 за ціною від 11.10 грн до 48.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3464DV-T1-BE3 SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3464dv.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.92 грн
10+30.56 грн
100+20.86 грн
500+15.43 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-BE3 SI3464DV-T1-BE3 Vishay / Siliconix si3464dv.pdf MOSFETs TSOP N CHAN 20V
на замовлення 22836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.39 грн
10+36.94 грн
100+24.02 грн
500+18.85 грн
1000+14.59 грн
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-BE3 si3464dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.92 грн
10+30.56 грн
100+20.86 грн
500+15.43 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-BE3 si3464dv.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP N CHAN 20V
на замовлення 22836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.39 грн
10+36.94 грн
100+24.02 грн
500+18.85 грн
1000+14.59 грн
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.