на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3464DV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3464DV-T1-GE3 за ціною від 12.65 грн до 64.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 5762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |