SI3469DV-T1-BE3 Vishay Siliconix


si3469dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3469DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3469DV-T1-BE3 за ціною від 19.67 грн до 76.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3469DV-T1-BE3 SI3469DV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3469dv.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.91 грн
10+43.23 грн
100+33.15 грн
500+24.59 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-BE3 SI3469DV-T1-BE3 Vishay / Siliconix si3469dv.pdf MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 16283 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+76.96 грн
10+62.15 грн
100+42.12 грн
500+36.64 грн
3000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-BE3 si3469dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.91 грн
10+43.23 грн
100+33.15 грн
500+24.59 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-BE3 si3469dv.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 16283 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+76.96 грн
10+62.15 грн
100+42.12 грн
500+36.64 грн
3000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.