Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3469DV-T1-E3
SI3469DV-T1-E3

SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3469dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.49 грн
6000+17.31 грн
9000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3469DV-T1-E3 за ціною від 20.33 грн до 78.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3469dv.pdf MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.74 грн
10+44.74 грн
100+26.97 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3469dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.90 грн
10+47.49 грн
100+31.03 грн
500+22.48 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3469dv.pdf 07+ TSSOP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3469dv.pdf 09+
на замовлення 126018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3469dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3469dv.pdf SI3469DV-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.