SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3469dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.76 грн
6000+16.66 грн
9000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI3469DV-T1-E3 за ціною від 19.57 грн до 75.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Vishay Semiconductors si3469dv.pdf MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.82 грн
10+41.41 грн
100+24.97 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3469dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+45.71 грн
100+29.87 грн
500+21.64 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 VISHAY si3469dv.pdf 09+
на замовлення 126018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.82 грн
10+41.41 грн
100+24.97 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.95 грн
10+45.71 грн
100+29.87 грн
500+21.64 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 126018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.