Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3469DV-T1-GE3
SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3469dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.73 грн
10+71.48 грн
100+55.74 грн
500+43.21 грн
1000+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3469DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3469DV-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3469DV-T1-GE3 SI3469DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix si3469dv.pdf MOSFET 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 si3469dv.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.