на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.83 грн |
| 10+ | 66.18 грн |
| 100+ | 44.81 грн |
| 500+ | 38.00 грн |
| 1000+ | 30.90 грн |
| 3000+ | 28.63 грн |
| 6000+ | 27.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3469DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI3469DV-T1-GE3 за ціною від 34.94 грн до 84.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3469DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI3469DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI3469DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI3469DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A Case: TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.7A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI3469DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI3469DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.7A; Idm: -25A Case: TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.7A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |