
SI3473CDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 20.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3473CDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI3473CDV-T1-E3 за ціною від 16.33 грн до 82.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3473CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
на замовлення 5317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI3473CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SI3473CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |