Продукція > VISHAY > SI3473CDV-T1-E3
SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3 Vishay


si3473cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.34 грн
6000+19.15 грн
9000+18.57 грн
15000+17.70 грн
21000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3473CDV-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI3473CDV-T1-E3 за ціною від 16.95 грн до 85.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.72 грн
6000+20.52 грн
9000+19.89 грн
15000+18.97 грн
21000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3473cd.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.06 грн
10+53.66 грн
100+31.39 грн
500+24.44 грн
1000+22.22 грн
3000+17.11 грн
6000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.91 грн
10+51.71 грн
100+33.87 грн
500+24.59 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf 09+ SOP-14
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.