Продукція > VISHAY > SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3 Vishay


si3473cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI3473CDV-T1-GE3 за ціною від 15.79 грн до 85.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.42 грн
9000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.41 грн
6000+18.95 грн
9000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.37 грн
6000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+30.78 грн
404+30.70 грн
521+23.76 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.38 грн
500+21.80 грн
1000+17.92 грн
5000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.82 грн
10+43.12 грн
50+18.93 грн
136+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.19 грн
18+49.17 грн
100+32.38 грн
500+21.80 грн
1000+17.92 грн
5000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.99 грн
10+53.73 грн
50+22.72 грн
136+21.48 грн
3000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3473cd.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 17054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.14 грн
10+51.29 грн
100+29.25 грн
500+22.60 грн
1000+20.47 грн
3000+17.72 грн
6000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.91 грн
10+51.71 грн
100+33.87 грн
500+24.59 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.