Продукція > VISHAY > SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

Name: SI3473CDV-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 1144696-7
Price: 48540.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI3473CDV-T1-GE3 за ціною від 15.75 грн до 85.73 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.38 грн
9000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	20.60 грн
6000+	19.13 грн
9000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	21.33 грн
6000+	18.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
403+	31.07 грн
404+	30.99 грн
521+	23.99 грн
1000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 403

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 56809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	33.00 грн
500+	21.75 грн
1000+	18.25 грн
5000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	56.42 грн
10+	39.85 грн
100+	25.72 грн
250+	21.51 грн
500+	18.81 грн
1000+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	67.71 грн
10+	49.66 грн
100+	30.86 грн
250+	25.82 грн
500+	22.58 грн
1000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 56809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	71.90 грн
17+	50.35 грн
100+	33.00 грн
500+	21.75 грн
1000+	18.25 грн
5000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6

на замовлення 17054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	77.97 грн
10+	51.18 грн
100+	29.19 грн
500+	22.56 грн
1000+	20.42 грн
3000+	17.68 грн
6000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V

на замовлення 8176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	85.73 грн
10+	51.60 грн
100+	33.80 грн
500+	24.53 грн
1000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI3473CDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.