
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 15.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3473CDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3473CDV-T1-GE3 за ціною від 15.42 грн до 82.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 11895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 57169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 57169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 4.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 4.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 17324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
на замовлення 8176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI3473CDV-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |