Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3473cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 4.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції SI3473CDV-T1-GE3 за ціною від 17.19 грн до 87.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.23 грн
6000+24.65 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.58 грн
6000+24.97 грн
9000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+35.57 грн
443+33.00 грн
448+32.67 грн
516+27.35 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.75 грн
20+40.44 грн
25+35.57 грн
100+31.82 грн
250+29.17 грн
500+24.31 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.09 грн
10+42.87 грн
11+39.73 грн
50+31.52 грн
100+27.28 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+53.61 грн
500+37.65 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+60.23 грн
309+47.37 грн
352+41.62 грн
500+30.18 грн
3000+22.81 грн
9000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.97 грн
10+48.49 грн
50+35.84 грн
100+29.78 грн
500+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.22 грн
13+60.72 грн
50+47.75 грн
100+40.46 грн
500+28.17 грн
3000+22.07 грн
9000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3473cd.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+87.41 грн
10+39.97 грн
100+30.71 грн
500+23.80 грн
1000+22.75 грн
3000+18.69 грн
9000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 56242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 56322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Year Code: 19+
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.23 грн
6000+24.65 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.58 грн
6000+24.97 грн
9000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
411+35.57 грн
443+33.00 грн
448+32.67 грн
516+27.35 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.75 грн
20+40.44 грн
25+35.57 грн
100+31.82 грн
250+29.17 грн
500+24.31 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.09 грн
10+42.87 грн
11+39.73 грн
50+31.52 грн
100+27.28 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+53.61 грн
500+37.65 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
243+60.23 грн
309+47.37 грн
352+41.62 грн
500+30.18 грн
3000+22.81 грн
9000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.97 грн
10+48.49 грн
50+35.84 грн
100+29.78 грн
500+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.22 грн
13+60.72 грн
50+47.75 грн
100+40.46 грн
500+28.17 грн
3000+22.07 грн
9000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.41 грн
10+39.97 грн
100+30.71 грн
500+23.80 грн
1000+22.75 грн
3000+18.69 грн
9000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 56242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 56322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 VISH-S-A0017721523-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
Виробник: VISHAY
Year Code: 19+
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.