SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.21 грн |
| 9000+ | 15.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI3473CDV-T1-GE3 за ціною від 14.68 грн до 93.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 56692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 11895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.022 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 56692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 16944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V |
на замовлення 8176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3473CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI3473CDV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3473CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |