на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 8.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3473DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI3473DDV-T1-GE3 за ціною від 7.01 грн до 42.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 69095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V |
на замовлення 5815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 68123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 7814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A Gate charge: 57nC On-state resistance: 38.8mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±8V |
товару немає в наявності |