SI3473DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.10 грн |
| 9000+ | 10.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3473DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 3.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm.
Інші пропозиції SI3473DDV-T1-GE3 за ціною від 14.23 грн до 52.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 13329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
на замовлення 68029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
на замовлення 68029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3473DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.10 грн |
| 10+ | 31.01 грн |
| 50+ | 22.67 грн |
| 100+ | 18.72 грн |
| 500+ | 14.23 грн |
| SI3473DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI3473DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 68029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3473DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 68029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)