Продукція > SI3 > SI3473DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

Виробник:

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3473DV-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3473DV-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI3473DV-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin TSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI3473DV-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI3473DV-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.