Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI3474DV-T1-BE3
SI3474DV-T1-BE3

SI3474DV-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si3474dv.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET
на замовлення 128850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.40 грн
12+29.19 грн
100+18.98 грн
500+14.93 грн
1000+11.70 грн
3000+10.52 грн
6000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3474DV-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI3474DV-T1-BE3 за ціною від 10.39 грн до 11.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3474DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3474dv.pdf Trans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-BE3 SI3474DV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-BE3 SI3474DV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.