на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3474DV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3474DV-T1-GE3 за ціною від 10.13 грн до 47.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 17678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V |
на замовлення 5144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.8A; Idm: 14A Mounting: SMD Case: TSOP6 Gate charge: 10.4nC On-state resistance: 126mΩ Power dissipation: 2.33W Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3474DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.8A; Idm: 14A Mounting: SMD Case: TSOP6 Gate charge: 10.4nC On-state resistance: 126mΩ Power dissipation: 2.33W Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |