Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI3474DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4327736-3
Price: 34740.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	11.58 грн
6000+	10.20 грн
9000+	9.72 грн
15000+	8.61 грн
21000+	8.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3474DV-T1-GE3 за ціною від 12.24 грн до 50.03 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI3474DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.92 грн
6000+	13.63 грн
9000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.07 грн
6000+	13.77 грн
9000+	12.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

447+	35.61 грн

Мінімальне замовлення: 447 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 27867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.03 грн
10+	29.72 грн
100+	19.12 грн
500+	13.63 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001142621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.92 грн
6000+	13.63 грн
9000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	15.07 грн
6000+	13.77 грн
9000+	12.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
447+	35.61 грн

Мінімальне замовлення: 447 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 27867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	50.03 грн
10+	29.72 грн
100+	19.12 грн
500+	13.63 грн
1000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 1465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3474DV-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3474DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.