SI3476DV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.99 грн |
| 10+ | 35.88 грн |
| 50+ | 26.30 грн |
| 100+ | 21.77 грн |
| 500+ | 16.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3476DV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI3476DV-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3476DV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TSOP6 N-CH 80V 3.5A |
на замовлення 8650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3476DV-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP6 N-CH 80V 3.5A
MOSFETs TSOP6 N-CH 80V 3.5A
на замовлення 8650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)