Продукція > VISHAY > SI3476DV-T1-GE3
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3 Vishay

si3476dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3476DV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SI3476DV-T1-GE3 за ціною від 10.09 грн до 38.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.89 грн
6000+ 10.87 грн
9000+ 10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 15021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.3 грн
10+ 29 грн
100+ 20.19 грн
500+ 14.79 грн
1000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3476dv.pdf MOSFET 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 114493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.3 грн
10+ 32.32 грн
100+ 21.04 грн
500+ 16.52 грн
1000+ 12.79 грн
3000+ 11.19 грн
9000+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3476DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3476dv.pdf SI3476DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній