SI3476DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.50 грн |
| 6000+ | 11.38 грн |
| 9000+ | 9.86 грн |
| 15000+ | 9.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3476DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SI3476DV-T1-GE3 за ціною від 10.62 грн до 47.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V |
на замовлення 20709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 88487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3476DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |