Продукція > VISHAY > SI3476DV-T1-GE3
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3 Vishay


si3476dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3476DV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SI3476DV-T1-GE3 за ціною від 10.50 грн до 53.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc62884.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.98 грн
6000+12.70 грн
9000+11.79 грн
15000+10.81 грн
21000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3476dv.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 88487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.25 грн
10+35.41 грн
100+21.18 грн
500+16.90 грн
1000+14.57 грн
3000+12.17 грн
6000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3476dv.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.62 грн
10+34.58 грн
100+23.28 грн
500+17.44 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 SI3476DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3476dv.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3476dv.pdf SI3476DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.