на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3483CDV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3483CDV-T1-E3 за ціною від 20.87 грн до 104.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 4598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 14064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Gate charge: 33nC On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 4.2W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -25A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Gate charge: 33nC On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 4.2W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -25A |
товару немає в наявності |