SI3483CDV-T1-E3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 44.55 грн |
| 500+ | 28.19 грн |
| 1500+ | 25.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3483CDV-T1-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Інші пропозиції SI3483CDV-T1-E3 за ціною від 23.76 грн до 70.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 17061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -25A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 4.2W Polarisation: unipolar Drain current: -8A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI3483CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -25A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 4.2W Polarisation: unipolar Drain current: -8A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A |
товар відсутній |