
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 14.74 грн |
6000+ | 13.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3483CDV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI3483CDV-T1-GE3 за ціною від 14.19 грн до 95.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Gate charge: 33nC On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 4.2W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -25A |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Gate charge: 33nC On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 4.2W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -25A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 34905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 79840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
SI3483CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |