Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3483DDV-T1-BE3
SI3483DDV-T1-BE3

SI3483DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3483ddv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.03 грн
6000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3483DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI3483DDV-T1-BE3 за ціною від 10.89 грн до 49.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3483ddv.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 9742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+31.96 грн
100+21.74 грн
500+16.53 грн
1000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3483ddv.pdf MOSFETs TSOP P CHAN 30V
на замовлення 63567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.78 грн
11+33.00 грн
100+19.57 грн
500+17.14 грн
1000+13.76 грн
3000+11.70 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 SI3483DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3483ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3 Виробник : VISHAY si3483ddv.pdf SI3483DDV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.