SI3483DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.21 грн |
| 6000+ | 11.67 грн |
| 9000+ | 11.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3483DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3483DDV-T1-GE3 за ціною від 11.07 грн до 64.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3483DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 21994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3483DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +16V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3483DDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A |
на замовлення 47725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3483DDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 21994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI3483DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 21994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.90 грн |
| 500+ | 18.55 грн |
| 1500+ | 15.37 грн |
| SI3483DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.51 грн |
| 10+ | 33.21 грн |
| 100+ | 21.51 грн |
| 500+ | 15.42 грн |
| 1000+ | 13.89 грн |
| SI3483DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
MOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 47725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.71 грн |
| 10+ | 35.91 грн |
| 100+ | 20.58 грн |
| 500+ | 16.14 грн |
| 1000+ | 13.74 грн |
| 3000+ | 12.48 грн |
| 6000+ | 11.07 грн |
| SI3483DDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 21994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 64.47 грн |
| 50+ | 40.05 грн |
| 100+ | 25.90 грн |
| 500+ | 18.55 грн |
| 1500+ | 15.37 грн |