Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3493BDV-T1-E3
SI3493BDV-T1-E3

SI3493BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3493bdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.42 грн
6000+22.71 грн
9000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3493BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3493BDV-T1-E3 за ціною від 21.75 грн до 102.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3493bdv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 10441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.05 грн
10+59.52 грн
100+39.41 грн
500+28.89 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3493bdv.pdf MOSFETs 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.49 грн
10+63.91 грн
100+36.81 грн
500+28.80 грн
1000+26.22 грн
3000+21.89 грн
6000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3493bdv.pdf 09+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 Виробник : Vishay doc74478.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3493bdv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.97W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.