SI3493BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.02 грн |
| 6000+ | 21.01 грн |
| 9000+ | 19.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3493BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3493BDV-T1-GE3 за ціною від 20.26 грн до 60.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V |
на замовлення 10016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V |
на замовлення 15569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3493BDV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI3493BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3493BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |