на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3493DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Інші пропозиції SI3493DDV-T1-GE3 за ціною від 6.4 грн до 28.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 18581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 18581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 34953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| Si3493DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
Si3493DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V |
товар відсутній |