Продукція > VISHAY > SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3 Vishay

Name: SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 19300210-5
Price: 11850.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	3.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3493DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI3493DDV-T1-GE3 за ціною від 7.20 грн до 43.11 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1299+	9.35 грн
1353+	8.98 грн
1356+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 1299

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	10.75 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002931290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 8785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	17.01 грн
500+	11.61 грн
1500+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
610+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 610

В кошику од. на суму грн.

Si3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay / Siliconix

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

на замовлення 62025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	32.10 грн
20+	18.04 грн
100+	10.91 грн
1000+	9.47 грн
3000+	7.58 грн
9000+	7.20 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	43.11 грн
50+	26.27 грн
100+	17.09 грн
500+	11.69 грн
1500+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Si3493DDV-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI3493DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si3493DDV-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.