Продукція > VISHAY > SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0010924643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.18 грн
500+20.85 грн
1500+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI3493DDV-T1-GE3 за ціною від 9.23 грн до 83.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix si3493ddv.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 45278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.98 грн
10+47.58 грн
100+26.22 грн
500+16.21 грн
1000+15.44 грн
3000+11.63 грн
6000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
50+57.15 грн
100+36.18 грн
500+20.85 грн
1500+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Vishay doc74735.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Si3493DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 45278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.98 грн
10+47.58 грн
100+26.22 грн
500+16.21 грн
1000+15.44 грн
3000+11.63 грн
6000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 VISH-S-A0010924643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3493DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
50+57.15 грн
100+36.18 грн
500+20.85 грн
1500+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 doc74735.pdf
SI3493DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.