Продукція > VISHAY > SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3 Vishay

si3493ddv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3493DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3493DDV-T1-GE3 за ціною від 6.99 грн до 31.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1299+9.39 грн
1353+9.02 грн
1356+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 1299
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002931290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.51 грн
500+11.27 грн
1500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
610+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 610
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002931290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.02 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.71 грн
50+24.10 грн
100+16.51 грн
500+11.27 грн
1500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3493ddv.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 62025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
20+17.51 грн
100+10.59 грн
1000+9.20 грн
3000+7.36 грн
9000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3 SI3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3493ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3493ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3493ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.