Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3499DV-T1-BE3
SI3499DV-T1-BE3

SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3499dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.32 грн
10+66.86 грн
100+52.15 грн
500+40.43 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3499DV-T1-BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3499DV-T1-BE3 SI3499DV-T1-BE3 Vishay / Siliconix si3499dv.pdf MOSFET P-CHANNEL 1.5-V (G-S)
на замовлення 11466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.