SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Vgs (Max): ±5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI3499DV-T1-GE3 за ціною від 24.65 грн до 111.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3499DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V |
на замовлення 7961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI3499DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V |
на замовлення 6070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3499DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3499DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.89 грн |
| 10+ | 51.47 грн |
| 100+ | 35.96 грн |
| 500+ | 31.14 грн |
| 1000+ | 26.39 грн |
| 3000+ | 25.28 грн |
| 6000+ | 24.65 грн |
| SI3499DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.55 грн |
| 10+ | 68.01 грн |
| 100+ | 45.29 грн |
| 500+ | 33.35 грн |
| 1000+ | 30.41 грн |



