Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3499dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Vgs (Max): ±5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI3499DV-T1-GE3 за ціною від 29.99 грн до 111.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.55 грн
25+37.96 грн
50+36.03 грн
100+32.83 грн
250+31.01 грн
500+30.50 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.55 грн
372+37.96 грн
378+37.37 грн
384+35.45 грн
391+32.30 грн
500+30.50 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.05 грн
10+67.70 грн
100+45.09 грн
500+33.21 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3499dv.pdf MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.55 грн
25+37.96 грн
50+36.03 грн
100+32.83 грн
250+31.01 грн
500+30.50 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+38.55 грн
372+37.96 грн
378+37.37 грн
384+35.45 грн
391+32.30 грн
500+30.50 грн
1000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.05 грн
10+67.70 грн
100+45.09 грн
500+33.21 грн
1000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.