Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3499dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3499DV-T1-GE3 за ціною від 24.22 грн до 109.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+35.10 грн
372+34.56 грн
378+34.02 грн
384+32.28 грн
391+29.40 грн
500+27.77 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.61 грн
25+37.03 грн
50+35.15 грн
100+32.02 грн
250+30.24 грн
500+29.75 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3499dv.pdf MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.78 грн
10+50.57 грн
100+35.33 грн
500+30.60 грн
1000+25.93 грн
3000+24.83 грн
6000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.59 грн
10+66.81 грн
100+44.49 грн
500+32.77 грн
1000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.