Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3499dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3499DV-T1-GE3 за ціною від 26.50 грн до 120.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.93 грн
25+39.32 грн
50+37.32 грн
100+34.00 грн
250+32.11 грн
500+31.59 грн
1000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+39.93 грн
372+39.32 грн
378+38.70 грн
384+36.72 грн
391+33.45 грн
500+31.59 грн
1000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3499dv.pdf MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+67.62 грн
10+55.34 грн
100+38.66 грн
500+33.48 грн
1000+28.38 грн
3000+27.18 грн
6000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.44 грн
10+68.55 грн
100+45.65 грн
500+33.62 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+119.37 грн
176+83.20 грн
335+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.35 грн
10+83.89 грн
100+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.93 грн
25+39.32 грн
50+37.32 грн
100+34.00 грн
250+32.11 грн
500+31.59 грн
1000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+39.93 грн
372+39.32 грн
378+38.70 грн
384+36.72 грн
391+33.45 грн
500+31.59 грн
1000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.62 грн
10+55.34 грн
100+38.66 грн
500+33.48 грн
1000+28.38 грн
3000+27.18 грн
6000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.44 грн
10+68.55 грн
100+45.65 грн
500+33.62 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+119.37 грн
176+83.20 грн
335+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.35 грн
10+83.89 грн
100+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.