Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3552DV-T1-GE3
Si3552DV-T1-GE3

Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3552dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.15W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції Si3552DV-T1-GE3 за ціною від 17.43 грн до 91.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.18 грн
241+50.73 грн
243+50.28 грн
312+37.80 грн
315+34.68 грн
500+26.85 грн
1000+21.63 грн
3000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.72 грн
13+47.52 грн
25+47.11 грн
50+45.03 грн
100+32.50 грн
250+30.91 грн
500+24.93 грн
1000+20.09 грн
3000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3552dv.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.72 грн
10+53.89 грн
100+32.22 грн
500+26.04 грн
1000+23.39 грн
3000+19.57 грн
6000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.52 грн
10+55.56 грн
100+36.56 грн
500+26.66 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.