Si3552DV-T1-GE3

Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3552dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.15W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції Si3552DV-T1-GE3 за ціною від 16.72 грн до 57.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+49.08 грн
241+ 48.65 грн
243+ 48.22 грн
312+ 36.25 грн
315+ 33.26 грн
500+ 25.75 грн
1000+ 20.75 грн
3000+ 18.01 грн
Мінімальне замовлення: 239
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.52 грн
13+ 45.58 грн
25+ 45.18 грн
50+ 43.18 грн
100+ 31.17 грн
250+ 29.65 грн
500+ 23.91 грн
1000+ 19.27 грн
3000+ 16.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.44 грн
10+ 44.23 грн
100+ 30.64 грн
500+ 24.03 грн
1000+ 20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3552dv.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 48949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.95 грн
10+ 49.98 грн
100+ 33.11 грн
500+ 26.37 грн
1000+ 21.1 грн
3000+ 19.09 грн
6000+ 18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
Si3552DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3552dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-1.8A
On-state resistance: 360/175mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.6/3.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7...8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si3552DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3552dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-1.8A
On-state resistance: 360/175mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.6/3.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7...8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
товар відсутній