Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3552DV-T1-GE3
Si3552DV-T1-GE3

Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3552dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.15W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції Si3552DV-T1-GE3 за ціною від 21.72 грн до 89.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.20 грн
241+58.68 грн
243+58.16 грн
312+43.72 грн
315+40.11 грн
500+31.05 грн
1000+25.02 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3 SI3552DV-T1-GE3 Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.92 грн
13+59.20 грн
25+58.68 грн
50+56.08 грн
100+40.48 грн
250+38.51 грн
500+31.05 грн
1000+25.02 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.94 грн
10+54.60 грн
100+35.93 грн
500+26.20 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 Si3552DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3552dv.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
SI3552DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+59.20 грн
241+58.68 грн
243+58.16 грн
312+43.72 грн
315+40.11 грн
500+31.05 грн
1000+25.02 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
SI3552DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.92 грн
13+59.20 грн
25+58.68 грн
50+56.08 грн
100+40.48 грн
250+38.51 грн
500+31.05 грн
1000+25.02 грн
3000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
Si3552DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.94 грн
10+54.60 грн
100+35.93 грн
500+26.20 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
Si3552DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3 si3552dv.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.