SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.87 грн |
| 9000+ | 13.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI3585CDV-T1-GE3 за ціною від 11.97 грн до 70.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-1.7A Power dissipation: 0.9/8W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78/316mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8/9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 14596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-1.7A Power dissipation: 0.9/8W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78/316mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8/9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR |
на замовлення 18756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |