Продукція > VISHAY > SI3585CDV-T1-GE3
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3 Vishay

si3585cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3585CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3585CDV-T1-GE3 за ціною від 11.62 грн до 56.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3585cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3585cd.pdf Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.26 грн
9000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+22.07 грн
34+18.29 грн
52+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.12 грн
500+18.09 грн
1500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A494CC0621E2E143&compId=si3585cd.pdf?ci_sign=fd1ba4d1f70583e057233df9309c2b07d3a62f13 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.24 грн
50+25.98 грн
66+13.72 грн
182+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.86 грн
50+30.29 грн
100+22.12 грн
500+18.09 грн
1500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3585cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 7436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.55 грн
11+30.88 грн
100+20.53 грн
500+17.29 грн
1000+15.74 грн
3000+13.76 грн
6000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A494CC0621E2E143&compId=si3585cd.pdf?ci_sign=fd1ba4d1f70583e057233df9309c2b07d3a62f13 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.89 грн
50+32.37 грн
66+16.46 грн
182+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3585cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+33.72 грн
100+21.26 грн
500+15.76 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.