Продукція > VISHAY > SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3 VISHAY


71184711.pdf Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 24018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3585DV-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції SI3585DV-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3585DV-T1-E3 Виробник : VISHAY 71184711.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3585DV-T1-E3 SI3585DV-T1-E3 Виробник : Vishay 71184711.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3585DV-T1-E3 SI3585DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71184711.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI3585DV-T1-E3 SI3585DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71184711.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній