Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3590dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.94 грн
6000+21.26 грн
9000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI3590DV-T1-E3 за ціною від 20.16 грн до 97.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3590dv.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 233027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.77 грн
10+53.38 грн
100+32.08 грн
500+25.53 грн
1000+23.10 грн
3000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.88 грн
10+59.70 грн
100+39.44 грн
500+28.84 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3590dv.pdf SI3590DV-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3590dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3590dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.