SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.55 грн |
| 6000+ | 20.90 грн |
| 9000+ | 20.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel.
Інші пропозиції SI3590DV-T1-E3 за ціною від 19.05 грн до 96.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3590DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR |
на замовлення 233027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3590DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 830mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel |
на замовлення 14340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|