SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3590dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.38 грн
6000+20.75 грн
9000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel.

Інші пропозиції SI3590DV-T1-E3 за ціною від 18.92 грн до 95.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Vishay Semiconductors si3590dv.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 233027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.79 грн
10+50.09 грн
100+30.10 грн
500+23.95 грн
1000+21.68 грн
3000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+58.26 грн
100+38.49 грн
500+28.15 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 si3590dv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 233027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.79 грн
10+50.09 грн
100+30.10 грн
500+23.95 грн
1000+21.68 грн
3000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 si3590dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.53 грн
10+58.26 грн
100+38.49 грн
500+28.15 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.