на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3590DV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI3590DV-T1-GE3 за ціною від 19.97 грн до 70.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si3590DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3590DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 17745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si3590DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 6151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3590DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR |
на замовлення 110530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3590DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 17235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3590DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2/-1.3A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2/-1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.53W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 77/170mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5/6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI3590DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
Si3590DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2/-1.3A Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2/-1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.53W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 77/170mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5/6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |