Продукція > VISHAY > SI3900DV-T1-E3
SI3900DV-T1-E3

SI3900DV-T1-E3 Vishay

71178.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3900DV-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції SI3900DV-T1-E3 за ціною від 16.83 грн до 106.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3900dv.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.10 грн
6000+19.66 грн
9000+18.84 грн
15000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3900dv.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 34004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.39 грн
10+53.06 грн
100+34.85 грн
500+25.35 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3900dv.pdf MOSFETs TSOP N CHAN 20V
на замовлення 114732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.02 грн
10+72.72 грн
100+49.26 грн
500+39.79 грн
1000+34.06 грн
3000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix 71178-241063.pdf MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
на замовлення 16616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 Виробник : SI si3900dv.pdf SOT23
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3900dv.pdf
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3900dv.pdf 0724+
на замовлення 5677 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DVT1E3 Виробник : VISHAY SMD
на замовлення 2802000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.