SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.63 грн |
| 6000+ | 18.36 грн |
| 9000+ | 17.59 грн |
| 15000+ | 15.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції SI3900DV-T1-E3 за ціною від 21.46 грн до 101.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3900DV-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 34004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI3900DV-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TSOP N CHAN 20V |
на замовлення 114732 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI3900DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN |
на замовлення 16616 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI3900DVT1E3 | VISHAY | SMD |
на замовлення 2802000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3900DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 34004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.53 грн |
| 10+ | 49.54 грн |
| 100+ | 32.54 грн |
| 500+ | 23.67 грн |
| 1000+ | 21.46 грн |
| SI3900DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TSOP N CHAN 20V
MOSFETs TSOP N CHAN 20V
на замовлення 114732 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 101.53 грн |
| 10+ | 69.64 грн |
| 100+ | 47.17 грн |
| 500+ | 38.10 грн |
| 1000+ | 32.62 грн |
| 3000+ | 29.62 грн |
| SI3900DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
на замовлення 16616 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| SI3900DVT1E3 |
Виробник: VISHAY
SMD
SMD
на замовлення 2802000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)