Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3900dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції Si3900DV-T1-GE3 за ціною від 25.98 грн до 107.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
Si3900DV-T1-GE3 Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3900dv.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.09 грн
10+53.75 грн
100+41.81 грн
500+33.25 грн
1000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 Si3900DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3900dv.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 61632 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+107.73 грн
10+69.33 грн
100+43.32 грн
500+35.06 грн
1000+30.33 грн
3000+27.55 грн
6000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 si3900dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.09 грн
10+53.75 грн
100+41.81 грн
500+33.25 грн
1000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 si3900dv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 61632 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.73 грн
10+69.33 грн
100+43.32 грн
500+35.06 грн
1000+30.33 грн
3000+27.55 грн
6000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.