Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3900DV-T1-GE3
Si3900DV-T1-GE3

Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3900dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції Si3900DV-T1-GE3 за ціною від 25.39 грн до 105.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si3900DV-T1-GE3 Si3900DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3900dv.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.27 грн
10+53.90 грн
100+41.92 грн
500+33.34 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 Si3900DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3900dv.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 61632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.32 грн
10+67.77 грн
100+42.35 грн
500+34.27 грн
1000+29.65 грн
3000+26.93 грн
6000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si3900DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3900dv.pdf SI3900DV-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.