Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції Si3900DV-T1-GE3 за ціною від 24.16 грн до 100.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si3900DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 7142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si3900DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 61632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| Si3900DV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 7142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.56 грн |
| 10+ | 53.33 грн |
| 100+ | 41.48 грн |
| 500+ | 32.99 грн |
| 1000+ | 26.88 грн |
| Si3900DV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 61632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.20 грн |
| 10+ | 64.48 грн |
| 100+ | 40.29 грн |
| 500+ | 32.61 грн |
| 1000+ | 28.21 грн |
| 3000+ | 25.63 грн |
| 6000+ | 24.16 грн |