Продукція > SI3 > SI3905DV-T1-E3

SI3905DV-T1-E3



Виробник:

на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3905DV-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 8V 6TSOP, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 4.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Power - Max: 1.15W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції SI3905DV-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3905DV-T1-E3 SI3905DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 8V 6TSOP
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3905DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 8V 6TSOP
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.