Si3932DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.27 грн |
| 6000+ | 13.40 грн |
| 9000+ | 13.06 грн |
| 15000+ | 11.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3932DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції Si3932DV-T1-GE3 за ціною від 15.08 грн до 55.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3932DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3932DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si3932DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 29656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3932DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 239363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3932DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| Si3932DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| Si3932DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3932DV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |