Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3993CDV-T1-GE3
SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Si3993CDV.PDF Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.08 грн
6000+ 10.13 грн
9000+ 9.4 грн
30000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції SI3993CDV-T1-GE3 за ціною від 10.48 грн до 35.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3993cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Si3993CDV.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 51253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.22 грн
11+ 27.12 грн
100+ 18.81 грн
500+ 13.78 грн
1000+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors Si3993CDV.PDF MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 84252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.52 грн
11+ 29.71 грн
100+ 17.96 грн
500+ 14.02 грн
1000+ 11.42 грн
3000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix 72320-256510.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 52728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SI3993CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY Si3993CDV.PDF SI3993CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній