
SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.48 грн |
6000+ | 10.82 грн |
9000+ | 10.64 грн |
15000+ | 9.84 грн |
21000+ | 9.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції SI3993CDV-T1-GE3 за ціною від 11.55 грн до 55.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3993CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3993CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 37277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3993CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 28982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3993CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 52728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
SI3993CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |