на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4058DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4058DY-T1-GE3 за ціною від 20.73 грн до 69.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 105927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 Код товару: 182910
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |