Інші пропозиції SI4058DY-T1-GE3 за ціною від 26.13 грн до 66.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 105927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.13 грн |
| SI4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.84 грн |
| SI4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.22 грн |
| Si4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.97 грн |
| 10+ | 40.99 грн |
| 100+ | 27.53 грн |
| Si4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 105927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4058DY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 112281
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1893 шт
- 1658 шт - склад
- 150 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 6000 шт
- 6000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano) Код товару: 104934
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,33 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,33 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.30 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39056
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 36,5 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 36,5 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 5340 шт
- 840 шт - склад
- 400 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 9616
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,3 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,3 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 3350 шт
- 1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1380 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 570 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| 12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4181
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 12 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 12 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 6813 шт
- 345 шт - склад
- 1448 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2650 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2370 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |









