SI4058DY-T1-GE3


si4058dy.pdf
Код товару: 182910
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4058DY-T1-GE3 за ціною від 26.13 грн до 66.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 Vishay si4058dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4058dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.97 грн
10+40.99 грн
100+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3 Si4058DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4058dy.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 105927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.97 грн
10+40.99 грн
100+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 105927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 112281
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1893 шт
  • 1658 шт - склад
  • 150 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Код товару: 104934
1 Додати до обраних Обраний товар
rl_20190531-hitano.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,33 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.30 грн
100+2.00 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39056
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 36,5 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 5340 шт
  • 840 шт - склад
  • 400 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 9616
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,3 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 3350 шт
  • 1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1380 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 570 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4181
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 12 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 6813 шт
  • 345 шт - склад
  • 1448 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2650 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2370 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.