SI4058DY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 27.71 грн |
| 500+ | 21.49 грн |
| 1000+ | 19.51 грн |
| 2500+ | 19.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4058DY-T1-GE3 VISHAY
Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Cut Tape (CT), Base Part Number: SI4058, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SOIC, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id.
Інші пропозиції SI4058DY-T1-GE3 за ціною від 19.26 грн до 40.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 Код товару: 182910 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Base Part Number: SI4058 Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Base Part Number: SI4058 Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id |
товар відсутній |