Інші пропозиції SI4058DY-T1-GE3 за ціною від 19.68 грн до 68.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 105927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
SI4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
Si4058DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 112281
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 5611 шт
5376 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Київ
85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
150 шт - РАДІОМАГ-Київ
85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano) Код товару: 104934
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,33 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,33 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 229 шт
179 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.30 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39056
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 36,5 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 36,5 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 5340 шт
840 шт - склад
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 9616
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,3 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,3 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3550 шт
1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
1480 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
570 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1480 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
570 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| 12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4181
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 12 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 12 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 12004 шт
4845 шт - склад
91 шт - РАДІОМАГ-Київ
1448 шт - РАДІОМАГ-Львів
2650 шт - РАДІОМАГ-Харків
2970 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
91 шт - РАДІОМАГ-Київ
1448 шт - РАДІОМАГ-Львів
2650 шт - РАДІОМАГ-Харків
2970 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |







