на замовлення 1956 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.57 грн |
| 10+ | 96.25 грн |
| 100+ | 64.9 грн |
| 500+ | 55.4 грн |
| 1000+ | 45.17 грн |
| 2500+ | 42.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4062DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8, Case: SO8, Mounting: SMD, On-state resistance: 4.2mΩ, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 25.7A, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI4062DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.7A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO |
товар відсутній |
|
|
|
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO |
товар відсутній |
|
|
|
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.7A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |