Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

si4062dy.pdf
Код товару: 209529
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4062DY-T1-GE3 за ціною від 38.87 грн до 203.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4062dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4062dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.99 грн
10+92.89 грн
100+63.19 грн
500+47.36 грн
1000+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4062dy.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.56 грн
10+107.16 грн
100+63.42 грн
500+50.56 грн
1000+46.38 грн
2500+40.40 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002472674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+203.64 грн
10+132.24 грн
25+118.45 грн
50+97.94 грн
100+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4062dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4062dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4062dy.pdf MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Група товару: Силові MOSFET-модулі Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4062dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25.7A
Drain-source voltage: 60V
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 112281
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
470nF 50V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B474K500N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 470 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 5611 шт
5376 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Київ
85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Код товару: 104934
1 Додати до обраних Обраний товар
rl_20190531-hitano.pdf
0,33 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R33 – Hitano)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,33 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 229 шт
179 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується 10.08.2026
Кількість Ціна
10+2.30 грн
100+2.00 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 39056
Додати до обраних Обраний товар
RC0603HIT.pdf
36,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-36K5R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 36,5 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 5340 шт
840 шт - склад
400 шт - РАДІОМАГ-Харків
4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.35 грн
1000+0.27 грн
10000+0.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 9616
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
4,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-4K3-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,3 kOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3550 шт
1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
1480 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
570 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4181
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
12 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-12R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 12 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 12004 шт
4845 шт - склад
91 шт - РАДІОМАГ-Київ
1448 шт - РАДІОМАГ-Львів
2650 шт - РАДІОМАГ-Харків
2970 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.