Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4090BDY-T1-GE3
SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4090bdy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4090BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI4090BDY-T1-GE3 за ціною від 40.89 грн до 103.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4090BDY-T1-GE3 SI4090BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4090bdy.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+82.23 грн
100+61.07 грн
500+44.60 грн
1000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4090bdy.pdf SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.