Продукція > VISHAY > SI4090DY-T1-GE3
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0002473657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.15 грн
10+95.99 грн
100+67.27 грн
500+50.00 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4090DY-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4090DY-T1-GE3 за ціною від 36.88 грн до 142.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4090dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.92 грн
10+83.24 грн
100+56.25 грн
500+41.96 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4090dy.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 25896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.35 грн
10+89.80 грн
100+52.71 грн
500+41.83 грн
1000+39.46 грн
2500+37.44 грн
5000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4090dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.