SI4090DY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.05 грн |
| 10+ | 94.44 грн |
| 100+ | 66.19 грн |
| 500+ | 49.20 грн |
| 1000+ | 42.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4090DY-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4090DY-T1-GE3 за ціною від 38.91 грн до 132.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 11899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |