на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4090DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4090DY-T1-GE3 за ціною від 68.09 грн до 144.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 0.008 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO |
на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 11899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
|
|
SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |