Продукція > VISHAY > SI4100DY-T1-GE3
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 Vishay

si4100dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4100DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4100DY-T1-GE3 за ціною від 35.59 грн до 149.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+66.42 грн
222+66.08 грн
270+54.20 грн
308+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.40 грн
12+66.42 грн
25+66.08 грн
100+52.26 грн
250+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.35 грн
10+68.24 грн
100+47.60 грн
500+40.74 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4100dy.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.77 грн
10+70.79 грн
100+55.10 грн
500+43.62 грн
1000+42.42 грн
2500+35.81 грн
5000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+66.42 грн
222+66.08 грн
270+54.20 грн
308+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.40 грн
12+66.42 грн
25+66.08 грн
100+52.26 грн
250+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.35 грн
10+68.24 грн
100+47.60 грн
500+40.74 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.77 грн
10+70.79 грн
100+55.10 грн
500+43.62 грн
1000+42.42 грн
2500+35.81 грн
5000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.