Продукція > VISHAY > SI4100DY-T1-E3
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 Vishay

si4100dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4100DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI4100DY-T1-E3 за ціною від 30.56 грн до 84.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.94 грн
5000+ 32.04 грн
12500+ 30.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 30752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.49 грн
10+ 66.55 грн
100+ 51.76 грн
500+ 41.17 грн
1000+ 33.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4100dy-1765089.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 16317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SI4100DY-T1-E3 si4100dy.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4100DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4100DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній