SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.89 грн |
| 5000+ | 34.88 грн |
| 7500+ | 34.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4100DY-T1-E3 за ціною від 39.06 грн до 139.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V |
на замовлення 28185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 16317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4100DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4100DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 28185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.04 грн |
| 10+ | 85.40 грн |
| 100+ | 57.44 грн |
| 500+ | 42.67 грн |
| 1000+ | 39.06 грн |
| SI4100DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 16317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4100DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)