на замовлення 118920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.59 грн |
| 10+ | 44.91 грн |
| 100+ | 27.64 грн |
| 500+ | 23.1 грн |
| 1000+ | 19.69 грн |
| 2500+ | 18.96 грн |
| 10000+ | 17.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4103DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4103DY-T1-GE3 за ціною від 18.62 грн до 61.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |