SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4114dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 275000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4114DY-T1-GE3 за ціною від 45.39 грн до 126.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+56.20 грн
100+56.18 грн
500+52.56 грн
1000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4114dy.pdf MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.63 грн
10+111.86 грн
100+78.24 грн
500+64.70 грн
1000+53.14 грн
2500+49.48 грн
5000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+56.20 грн
100+56.18 грн
500+52.56 грн
1000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.63 грн
10+111.86 грн
100+78.24 грн
500+64.70 грн
1000+53.14 грн
2500+49.48 грн
5000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.