Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4114DY-T1-GE3
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4114dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI4114DY-T1-GE3 за ціною від 28.22 грн до 135.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.76 грн
24+32.68 грн
25+31.00 грн
100+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.07 грн
10+56.24 грн
100+56.22 грн
500+52.60 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4114dy.pdf MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+135.17 грн
10+119.40 грн
100+83.51 грн
500+69.07 грн
1000+56.73 грн
2500+52.82 грн
5000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.76 грн
24+32.68 грн
25+31.00 грн
100+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.07 грн
10+56.24 грн
100+56.22 грн
500+52.60 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.17 грн
10+119.40 грн
100+83.51 грн
500+69.07 грн
1000+56.73 грн
2500+52.82 грн
5000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.