Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4114DY-T1-GE3
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4114dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4114DY-T1-GE3 за ціною від 27.07 грн до 91.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.28 грн
24+31.35 грн
25+29.73 грн
100+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.12 грн
10+54.55 грн
100+54.54 грн
500+51.03 грн
1000+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4114dy.pdf MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay si4114dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.28 грн
24+31.35 грн
25+29.73 грн
100+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.12 грн
10+54.55 грн
100+54.54 грн
500+51.03 грн
1000+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.