SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 52.86 грн |
| 5000+ | 50.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4114DY-T1-E3 за ціною від 49.32 грн до 128.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4114DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V |
на замовлення 10990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4114DY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI4114DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI4114DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |