SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 52.67 грн |
| 5000+ | 50.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4114DY-T1-E3 за ціною від 38.48 грн до 156.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4114DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 7452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4114DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4114DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.66 грн |
| 10+ | 93.54 грн |
| 100+ | 72.62 грн |
| 500+ | 58.46 грн |
| 1000+ | 49.14 грн |
| SI4114DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8
MOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.24 грн |
| 10+ | 98.89 грн |
| 100+ | 59.28 грн |
| 500+ | 50.25 грн |
| 1000+ | 41.94 грн |
| 2500+ | 38.48 грн |
| SI4114DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)