SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4116dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.37 грн
5000+33.93 грн
7500+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4116DY-T1-GE3 за ціною від 33.37 грн до 125.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4116dy.pdf Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.78 грн
500+44.88 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4116dy.pdf MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.25 грн
10+79.03 грн
100+48.29 грн
500+39.03 грн
1000+36.05 грн
2500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.42 грн
10+76.45 грн
100+56.12 грн
500+41.62 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4116dy.pdf Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.35 грн
10+90.15 грн
100+60.78 грн
500+44.88 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4116dy.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.