Продукція > VISHAY > SI4122DY-T1-GE3
SI4122DY-T1-GE3

SI4122DY-T1-GE3 Vishay

si4122dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4122DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4122DY-T1-GE3 за ціною від 69.32 грн до 204.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+97.47 грн
132+93.11 грн
250+89.38 грн
500+83.07 грн
1000+74.41 грн
2500+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4122dy.pdf Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.89 грн
500+83.53 грн
1000+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4122dy.pdf MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 9522 шт:
термін постачання 319-328 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.82 грн
10+154.82 грн
100+107.41 грн
250+99.32 грн
500+89.75 грн
1000+77.25 грн
2500+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.97 грн
10+138.40 грн
100+102.01 грн
500+77.66 грн
1000+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4122dy.pdf Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.67 грн
10+151.03 грн
100+113.89 грн
500+83.53 грн
1000+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар

si4122dy.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4122dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4122dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.