Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4122DY-T1-GE3

SI4122DY-T1-GE3

si4122dy.pdf
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4122DY-T1-GE3 за ціною від 69.50 грн до 188.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.23 грн
132+107.21 грн
250+102.91 грн
500+95.65 грн
1000+85.68 грн
2500+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.58 грн
10+133.86 грн
100+98.66 грн
500+75.12 грн
1000+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 10073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4122dy.pdf MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 Vishay si4122dy.pdf 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.23 грн
132+107.21 грн
250+102.91 грн
500+95.65 грн
1000+85.68 грн
2500+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.58 грн
10+133.86 грн
100+98.66 грн
500+75.12 грн
1000+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 10073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
Виробник: Vishay
10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.