SI4122DY-T1-GE3


si4122dy.pdf
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4122DY-T1-GE3 за ціною від 62.17 грн до 232.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4122dy.pdf Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.15 грн
500+85.13 грн
1000+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+111.48 грн
132+106.49 грн
250+102.22 грн
500+95.01 грн
1000+85.11 грн
2500+79.29 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.67 грн
10+136.06 грн
100+100.28 грн
500+76.35 грн
1000+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4122dy.pdf MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.26 грн
10+142.35 грн
100+86.93 грн
500+73.71 грн
2500+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4122dy.pdf Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.03 грн
10+150.90 грн
100+111.15 грн
500+85.13 грн
1000+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4122dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.