Інші пропозиції SI4122DY-T1-GE3 за ціною від 62.17 грн до 232.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
на замовлення 4973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
10+ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |




