на замовлення 9522 шт:
термін постачання 319-328 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.92 грн |
10+ | 140.15 грн |
100+ | 97.23 грн |
250+ | 89.9 грн |
500+ | 81.24 грн |
1000+ | 69.92 грн |
2500+ | 69.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4122DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI4122DY-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay | 10+ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI4122DY-T1-GE3 Код товару: 188744 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.2A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||
SI4122DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.2A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 70A |
товар відсутній |