Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4124DY-T1-GE3
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4124dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI4124DY-T1-GE3 за ціною від 62.21 грн до 202.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+112.55 грн
134+94.86 грн
135+93.90 грн
155+79.16 грн
250+72.61 грн
500+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.59 грн
10+101.63 грн
25+100.61 грн
100+84.82 грн
250+77.80 грн
500+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4124dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.15 грн
10+132.99 грн
100+99.44 грн
500+75.26 грн
1000+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4124dy-1764950.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 384-393 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.64 грн
10+180.42 грн
25+155.28 грн
100+125.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.