Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4124DY-T1-GE3
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4124dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI4124DY-T1-GE3 за ціною від 55.62 грн до 186.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+100.63 грн
10+84.81 грн
25+83.96 грн
100+70.78 грн
250+64.92 грн
500+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+108.37 грн
134+91.34 грн
135+90.42 грн
155+76.22 грн
250+69.92 грн
500+59.90 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4124dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
10+122.23 грн
100+91.39 грн
500+69.17 грн
1000+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4124dy-1764950.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 384-393 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.25 грн
10+165.82 грн
25+142.72 грн
100+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4124dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.